目前，工信工业研究人员针对Bi基，硅烯以及锡烯等二维材料进行了研究。
带隙是二维半导体电子器件和光电子光器件中最重要的基本参数之一，部组是影响二维半导体电子器件开关比和光电器件的光电流响应的重要因素之一。在此基础上，织开展构建了锗硅烷的理论模型，织开展基于密度泛函理论的第一性原理计算结果表明，二维锗硅烷和体相材料均为直接带隙半导体，与过渡金属硫族化合物不同，其带隙类型既不依赖锗硅烷的片层数，也与锗硅烷中Ge和Si元素的比例无关，其带隙结构随x的升高而增加。
二维锗硅烷兼具可调控能带结构、互联宽光谱（从紫外区到可见光区）响应，互联同时其能带结构适应于不同复杂条件下的光催化产氢和CO2还原，研究显示，当x=0.5时，二维锗硅烷（HGeSiOH）表现出最优异的光催化性能，在光催化水还原中可以以1.58mmolg-1h-1的速率生成H2，还可以催化还原CO2，以6.91mmolg-1h-1的速率生成CO，该性能高于目前报道的光催化剂，这些研究结果表明具有带隙可调性能的二维锗硅烷在光催化产氢和CO2还原上具有巨大的应用潜力。当x≥0.5时，网平材料中又出现了Si-H化学键，因此锗硅烷的结构为(GeH)1-xSix(OH)0.5Hx-0.5。同时二维锗硅烷的化学结构与Ge和Si比例密切相关，台创当x0.5时，材料中分别形成Ge-H和Si-OH化学键，锗硅烷表现为(GeH)1-x(SiOH)x。
【研究背景】新型二维半导体原子晶体兼具原子级厚度、用案纳米级层状结构、极高的载流子迁移率，是构建未来高性能纳米光电器件的核心材料。例如：例征石墨烯是零带隙纳米半导体，通过掺杂、修饰和图案化设计可以打开其禁带结构，但带隙调控范围受限（1.0eV）。
集活二维锗硅烷是未来制备纳米能量转换器件和纳米光电器件的理想材料之一。
工信工业【图文导读】图1锗硅烷的晶体结构表征图2锗硅烷的化学结构表征图3锗硅烷的透射电镜图像图4单层结构锗硅烷的电子性质密度泛函理论计算图5双层体相结构锗硅烷的电子性质密度泛函理论计算图6锗硅烷的光学性质和带隙图7锗硅烷的能带结构图8光催化性能表征供稿人：FOCC实验室。专家建议，部组绝大多数消毒液最好参照说明书单独使用。
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